Nexperia PSMN5R6-100PS
Obsolete
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-11-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2024-06-30
LTD Date2024-12-31
Peças relacionadas
InfineonIRFB4310ZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 4.8 Milliohms;ID 120A;TO-220AB;PD 250W
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Descrições
Descrições de Nexperia PSMN5R6-100PS fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 100 V, 4.3 mohm, 10 V, 3 V
Compliant Through Hole 4.7 mm 16 mm 10.3 mm No SVHC TO-220AB 3
Power MOSFET N-channel 100V 100A TO220AB
RS APAC
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 100V, 100A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):4.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:306W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:100A; Power Dissipation Pd:306W; Voltage Vgs Max:20V
Nomes alternativos do fabricante
Nexperia possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Nexperia também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- Infineon_Nexperia
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
Histórico de estoque
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Modelos CAD
0 modelos disponíveis
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220AB
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance5.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance8.061 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation306 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation306 W
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time83 ns
Turn-On Delay Time31 ns
Dimensions
Height19.3 mm
Length10.3 mm
Width4.7 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade