Infineon IRF8010PBF
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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2002-08-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 weeks ago)
Peças relacionadas
InfineonIRFB4610PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 11Milliohms;ID 73A;TO-220AB;PD 190W;-55deg
InfineonIRF2807PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 13 Milliohms;ID 82A;TO-220AB;PD 230W;gFS 38S
Descrições
Descrições de Infineon IRF8010PBF fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 12Milliohms;ID 80A;TO-220AB;PD 260W;-55deg
Transistor MOSFET N Channel 100 Volt 80a 3-Pin 3+ Tab TO-220AB
Single N-Channel 100 V 15 mOhm 81 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.015 ohm, TO-220AB, Through Hole
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 260 W
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
MOSFET, N, 100V, 80A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):15mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:260W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:80A; Junction to Case Thermal Resistance A:0.57°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:15ohm; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:260W; Power Dissipation Pd:260W; Pulse Current Idm:320A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Histórico de estoque
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220AB
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Current Rating80 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance15 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Dual Supply Voltage100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time120 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.83 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation260 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance15 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation260 W
Rds On Max15 mΩ
Recovery Time150 ns
Resistance15 Ω
Rise Time130 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time61 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height20.56 mm
Length10.5156 mm
Width4.69 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade