Nexperia BSH205G2R
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Stock
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6
4
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
TO-236-3
-
Drain to Source Voltage (Vds)
-20 V
20 V
Continuous Drain Current (ID)
2 A
2 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
170 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
8 V
-
Power Dissipation
890 mW
-
Input Capacitance
418 pF
-
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-04-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Peças relacionadas
Descrições
Descrições de Nexperia BSH205G2R fornecidas pelos seus distribuidores.
BSH205G2 Series 20 V 2 A 170 mOhm SMT P-Channel TrenchMOS FET - SOT-23
Nexperia P-Ch MOSFET BSH205G2 Vds=20V 2.3A SOT-23 SMD 3-Pin
20V 2A 170m´Î@4.5V2A 480mW 950mV@250Ã×A P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
P-Channel 20V 2A (Ta) 480mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 3-Pin TO-263AB T/R
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 20V, 0.118ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-236AB
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Transistor Polarity:p Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:2.3A; On Resistance Rds(On):0.12Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:700Mv Rohs Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
Nexperia possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Nexperia também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- Infineon_Nexperia
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-236-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Ambient Temperature Range High150 °C
Continuous Drain Current (ID)2 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance118 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)-20 V
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance418 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation10 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation890 mW
Rds On Max170 mΩ
Rise Time14 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time43 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade