Nexperia BSH103,215
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| TME | BSH103.215 | 0 | 1 | 20h | ||||||||
| Newark | BSH103,215 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Future Electronics | BSH103,215 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | BSH103,215 | 0 | 3K | 4d | ||||||||
| Arrow Electronics | BSH103,215 | 0 | 3K |
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2,020,370
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT
SOT-23
SOT-23
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
850 mA
750 mA
750 mA
Threshold Voltage
400 mV
-
-
Rds On Max
400 mΩ
460 mΩ
460 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
8 V
8 V
8 V
Power Dissipation
750 mW
450 mW
450 mW
Input Capacitance
83 pF
64.3 pF
64.3 pF
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-06-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Peças relacionadas
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Trans MOSFET N-CH 30V 6.7A 6-Pin TSOP T/R / MOSFET N-CH 30V 6TSOP
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MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3 / Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Descrições
Descrições de Nexperia BSH103,215 fornecidas pelos seus distribuidores.
BSH103 Series 30 V 850 mA 400 mOhm N-Ch Enhancement Mode MOS Transistor - SOT-23
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 850 mA, 400 Milliohms, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SOT-23 Polarity: N Power dissipation: 500 mW
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:850mA; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):400mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Threshold Voltage, Vgs Typ:400mV ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N, 30V, 0.85A, SOT-23, REEL 3K; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:850mA; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Power Dissipation Pd:750mW; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:TO-236AB; No. of Pins:3; MSL:(Not Available); SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
MOSFET, N, SOT-23 REEL 3K; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:0.85A; Resistance, Rds On:0.5ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:2.5V; Voltage, Vgs th Typ:0.4V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Current, Id Max:0.92A; Current, Idm Pulse:3.4A; No. of Pins:3; Power, Pd:0.5W; Power, Ptot:0.5W; Quantity, Reel:3000; Temperature, Current:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:30V; Width, Tape:8mm
Nomes alternativos do fabricante
Nexperia possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Nexperia também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)850 mA
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance500 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Dual Supply Voltage30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance83 pF
Max Dual Supply Voltage30 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation750 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs400 mV
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation750 mW
Rds On Max400 mΩ
Resistance500 mΩ
Rise Time3.5 ns
Schedule B8541210080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage400 mV
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time2.5 ns
Dimensions
Height1 mm
Length3 mm
Width1.4 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade