Nexperia BCX54,115
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Stock
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776,008
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
SOT-89
-
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
45 V
-
Max Collector Current
1 A
1 A
Transition Frequency
130 MHz
130 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
500 mV
hFE Min
40
63
Power Dissipation
500 mW
640 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75
Introduction Date1997-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
onsemiKSD1621TTF
Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 200 @ 100mA 2V 100nA ICBO 500mW 150MHz
Descrições
Descrições de Nexperia BCX54,115 fornecidas pelos seus distribuidores.
BCX54 Series 45 V 1 A SMT NPN Medium Power Transistor - SOT-89
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-243AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Bipolar Transistors (BJT); BCX54,115; NEXPERIA; NPN; 45 V; 1 A
Trans GP BJT NPN 45V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
NEXPERIA - BCX54,115 - TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 45V, SOT-89-3
General Purpose Transistors NPN Ic=1A Vceo=45V hfe=63~250 P=1.35W SOT89
0.5V @ IC=500mA IB=50mA NPN 1.35W 5V 100nA 45V 45V 1A SOT-89
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency Typ, ft:180MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain Max (hfe):63 ;RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
Nexperia possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Nexperia também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-89
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Ambient Temperature Range High150 °C
Collector Base Voltage (VCBO)45 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency180 MHz
Gain Bandwidth Product180 MHz
hFE Min40
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current1 A
Max Frequency180 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.35 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation500 mW
Schedule B8541290080
Transition Frequency130 MHz
Dimensions
Height1.6 mm
Length4.6 mm
Width2.6 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade