Nexperia BCV49,115
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Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-89
SOT-89
SOT-89
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
60 V
60 V
60 V
Max Collector Current
500 mA
500 mA
500 mA
Transition Frequency
220 MHz
170 MHz
170 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
1 V
1 V
hFE Min
2000
2000
2000
Power Dissipation
1.3 W
1 W
1 W
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
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Descrições
Descrições de Nexperia BCV49,115 fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor: NPN-Darlington; bipolar; 60V; 0.5A; 1.3W; -65+150 deg.C; SMD; SOT89
BCV49 Series 60 V 500 mA SMT NPN Darlington Transistor - SOT-89-3
Trans Darlington NPN 60V 0.5A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-243AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin
500 mA 60 V NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-243AA
TRANS DARL NPN 60V 0.5A SOT89; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency Typ ft:220MHz; Power Dissipation Pd:1.3W; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:10000; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:1V; Current Ic Continuous a Max:100mA; Gain Bandwidth ft Typ:220MHz; Hfe Min:10000; Package / Case:SOT-89; Power Dissipation Pd:1.3W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Darlington
Nomes alternativos do fabricante
Nexperia possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Nexperia também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- Infineon_Nexperia
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-89
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)10 V
hFE Min2000
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current500 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation1.3 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency220 MHz
Dimensions
Height1.6 mm
Length4.6 mm
Width2.6 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade