Nexperia BC846S,115
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Stock
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7,034,781
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TSSOP
TSSOP
TSSOP
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
65 V
65 V
65 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
300 mV
-
-
hFE Min
110
110
110
Power Dissipation
300 mW
300 mW
300 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-05-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Descrições
Descrições de Nexperia BC846S,115 fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar Transistors (BJT); BC846S,115; NEXPERIA; NPN; 2; 65 V; 100 mA
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 6-Pin TSSOP T/R
NPN general purpose double transistor
100 mA 65 V 2 CHANNEL NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR
Bipolar Transistor Array; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:65V; Transition Frequency Typ, ft:100MHz; Power Dissipation, Pd:200mW; DC Collector Current:100mA ;RoHS Compliant: Yes
Transistor Polarity = NPN / Configuration = Dual Common Anode / Continuous Collector Current (Ic) mA = 100 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 65 / DC Current Gain (hFE) = 110 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 80 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 6 / Operating Temperature Min. °C = -65 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency MHz = 100 / Power Dissipation (Pd) mW = 200 / Package Type = SOT-363 / Pins = 6 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Automotive Qualification Standard = AEC-Q101 / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) mV = 300 / Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat)) mV = 770
Nomes alternativos do fabricante
Nexperia possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Nexperia também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +29.32%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTSSOP
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Ambient Temperature Range High150 °C
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage65 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)65 V
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min110
Max Breakdown Voltage65 V
Max Collector Current100 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements2
PackagingCut Tape
PolarityNPN
Power Dissipation300 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Dimensions
Height1.1 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade