Nexperia BC807-25,215
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
-
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
-45 V
-
-
Max Collector Current
500 mA
500 mA
500 mA
Transition Frequency
80 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
700 mV
700 mV
700 mV
hFE Min
160
160
160
Power Dissipation
250 mW
300 mW
300 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1997-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.DDTC115TUA-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Descrições
Descrições de Nexperia BC807-25,215 fornecidas pelos seus distribuidores.
Single Bipolar Transistor, PNP, 45 V, 500 mA, 345 mW, SOT-23 (TO-236AB), 3 Pins, Surface Mount
Bipolar Transistors (BJT); BC807-25,215; NEXPERIA; PNP; 3; -45 V; -500 mA
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
Nexperia BC807-25 215 MOSFET PNP Transistor 60V 0.5A Tape on reel
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 345mW 3-Pin SOT-23 T/R
General Purpose Transistors VCEO=45V IC=500mA PNP SOT23 160~400
TRANSISTOR, PNP, -45V, -500MA, SOT-23-3; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -45V; Transition Frequency ft: 80MHz; Power Dissipation Pd: 250mW; DC Collector Current: -500mA; DC Current Gain hFE: 160hF
Bipolar Transistor, Pnp, -45V, -500Ma, 3-Sot-23, Full Reel; Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage Max:45V; Continuous Collector Current:500Ma; Power Dissipation:250Mw; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pinsrohs Compliant: Yes |Nexperia BC807-25,215.
Nomes alternativos do fabricante
Nexperia possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Nexperia também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Especificações técnicas
Physical
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Ambient Temperature Range High150 °C
Collector Base Voltage (VCBO)-50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-45 V
Collector Emitter Saturation Voltage700 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
hFE Min160
Max Collector Current500 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation250 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency80 MHz
Dimensions
Height1.1 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade