Microchip LND250K1-G
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Cadeia de suprimentos
Projected EOL Date2034-12-20
Country of AssemblyThailand
Country of FabricationUnited States of America
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8542.39.0060
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusREL (Last Updated: 1 day ago)
Peças relacionadas
InfineonSN7002NH6327XTSA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 200 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Surface Mount
Diodes Inc.BSS138Q-7-F
Single N-Channel 50 V 3.5 Ohm 300 mW Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
InfineonIRLML0030TRPBF
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 27ohm; 1.3W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
Descrições
Descrições de Microchip LND250K1-G fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel Depletion-Mode DMOS FET | MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
MOSFET, DEPLETION-MODE, 500V, 1K Ohm
Depletion-Mode N-Channel, 1000Ω, -1 to -3V, SOT-23-3, RoHS
Microchip SCT
Mosfet, Depletion-Mode, 500V, 1K Ohm 3 Sot-23 1.3Mm T/R Rohs Compliant: Yes |Microchip Technology LND250K1-G
MOSFETs - Depletion Mode N-Channel 500V 1KOhm
500V N-ch 1mA 1000 Ohm N-ch SOT-23
IC CLK BUFFER 1:12 250MHZ 32LQFP
Nomes alternativos do fabricante
Microchip possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Microchip também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Microchip Technology
- MICROCHIP TECHNOLOGY INC
- MICROCHI
- MICROC
- MICROCH
- MICROCHIP TECH
- MCHP
- MCRCH
- MCP
- MICROHIP
- MICROSHIP
- MICCHP
- MICROCHP
- MTech
- Microchip Technology / Atmel
- MICROCIHIP
- Microchip Technologies
- Microchip / Microsemi
- MICORCHIP
- MICHROCHIP
- Atmel/Microchip
- MICRIOCHIP
- Atmel (Microchip Technology)
- MICROCHIP (ATMEL)
- MICROCHIP TECHNOLOGY (VA)
- Microchip Technology Inc.
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Weight1.437803 g
Technical
Ambient Temperature Range High150 °C
Continuous Drain Current (ID)13 mA
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance850 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time450 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
HS Code8541.29.0055, 8542.39.0090
Input Capacitance10 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation360 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Power Dissipation360 mW
Rds On Max1 kΩ
Rise Time450 ns
Turn-Off Delay Time100 ps
Turn-On Delay Time90 ps
Dimensions
Height1.12 mm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
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