Microchip LND150N3-G
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Tendência de 3 meses: -43.35%
Modelos CAD
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Fichas técnicas e documentos
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Modelos CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Projected EOL Date2034-05-26
Country of AssemblyPhilippines, Taiwan
Country of FabricationUnited States of America
Country of OriginPhilippines, Taiwan
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8542.39.0060
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusREL (Last Updated: 1 day ago)
Descrições
Descrições de Microchip LND150N3-G fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel 500 V 1 kOhm Through Hole Depletion Mode Mosfet - TO-92
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.03A I(D), 500V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92
MOSFET, N CH, 500V, 0.03A, TO-92-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 30mA; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 850ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 0V; Threshold Voltage Vgs: -; Powe
Nomes alternativos do fabricante
Microchip possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Microchip também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Microchip Technology
- MICROCHIP TECHNOLOGY INC
- MICROCHI
- MICROC
- MICROCH
- MICROCHIP TECH
- MCHP
- MCRCH
- MCP
- MICROHIP
- MICROSHIP
- MICCHP
- MICROCHP
- MTech
- Microchip Technology / Atmel
- Microchip Technologies
- Microchip / Microsemi
- MICORCHIP
- MICHROCHIP
- MICROCIHIP
- Atmel/Microchip
- MICRIOCHIP
- Atmel (Microchip Technology)
- MICROCHIP (ATMEL)
- MICROCHIP TECHNOLOGY (VA)
- Microchip Technology Inc.
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -43.35%
Modelos CAD
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Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-92
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Weight219.992299 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 mA
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance850 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time450 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
HS Code8541.29.0055, 8542.39.0090
Input Capacitance10 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation740 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation740 mW
Rds On Max1 kΩ
Rise Time450 ns
Schedule B8542390000
Turn-Off Delay Time100 ns
Turn-On Delay Time90 ns
Dimensions
Height5.334 mm
Length5.21 mm
Width4.19 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade