Diodes Inc. ZVN4206A
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Stock
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172,721
Authorized Distributors
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92-3
TO-92-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
600 mA
600 mA
Threshold Voltage
3 V
-
Rds On Max
1 Ω
1 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
700 mW
700 mW
Input Capacitance
100 pF
100 pF
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1992-02-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
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2N7000 Series 60V 5 Ohms N-Ch Enhancement Mode Field Effect Transistor - TO-92
Descrições
Descrições de Diodes Inc. ZVN4206A fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel 60 V 1 Ohm Enhancement Mode Vertical DMOS FET - TO-92
MOSFET, N LOGIC E-LINE; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 600mA; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 1.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: -; Power Dissipati
N Channel Mosfet, 60V, 600Ma, To-92; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:600Ma; Tensión Drenaje-Fuente Vds:60V; Resistencia De Activación Rds(On):1.5Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Diodes Inc. ZVN4206A
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-92-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight453.59237 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)600 mA
Current Rating600 mA
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance1 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance100 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation700 mW
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation700 mW
Rds On Max1 Ω
Resistance1 Ω
Rise Time12 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time12 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height4.01 mm
Length4.77 mm
Width2.41 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade