Microchip APT27GA90BD15
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Projected EOL Date2044-04-30
Country of AssemblyPhilippines
Country of FabricationJapan, Taiwan, United States of America
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.0095
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusREL (Last Updated: 1 day ago)
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Planar Series - 600V - 1200V XPT™ (eXtreme-light Punch Through) IGBTs, TO-247, RoHS
LittelfuseIXYH60N90C3
Planar Series - 600V - 1200V XPT™ (eXtreme-light Punch Through) IGBTs, TO-247, RoHS
Descrições
Descrições de Microchip APT27GA90BD15 fornecidas pelos seus distribuidores.
Igbt Pt Mos 8 Combi 900 V 27 A To-247 3; |Microchip Technology APT27GA90BD15
Trans IGBT Chip N-CH 900V 48A 223W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
223W 900V 48A TO-247 Through hole mounting
Nomes alternativos do fabricante
Microchip possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Microchip também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Microchip Technology
- MICROCHIP TECHNOLOGY INC
- MICROCHI
- MICROC
- MICROCH
- MICROCHIP TECH
- MCHP
- MCRCH
- MCP
- MICROHIP
- MICROSHIP
- MICCHP
- MICROCHP
- MTech
- Microchip Technology / Atmel
- MICROCIHIP
- Microchip Technologies
- Microchip / Microsemi
- MICORCHIP
- MICHROCHIP
- Atmel/Microchip
- MICRIOCHIP
- Atmel (Microchip Technology)
- MICROCHIP (ATMEL)
- MICROCHIP TECHNOLOGY (VA)
- Microchip Technology Inc.
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage900 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)900 V
Continuous Collector Current48 A
Element ConfigurationSingle
HS Code8541.29.0055, 8541.29.0095
Max Collector Current48 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation223 W
Min Operating Temperature-55 °C
Power Dissipation223 W
Turn-Off Delay Time98 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height25.96 mm