Infineon IRG4PF50WPBF
$ 11.75
Obsolete
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e os modelos 3D STEP de Infineon IRG4PF50WPBF direto dos nossos confiáveis parceiros.
| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada |
O site do parceiro será aberto em uma nova aba ao baixar os seus modelos CAD
Ao baixar os modelos CAD do Octopart, você concorda com nossos Termos e Condições e Política de Privacidade.
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-05-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-06-30
LTD Date2020-12-31
Peças relacionadas
LittelfuseIXYH24N90C3D1
Planar Series - 600V - 1200V XPT™ (eXtreme-light Punch Through) IGBTs, TO-247, RoHS
Descrições
Descrições de Infineon IRG4PF50WPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
900V Warp 20-100 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS
Infineon SCT
IGBT Housing type: TO-247AC Collector-emitter breakdown voltage: 900 V Collector-emitter saturation voltage: 2.25 V Current release time: 150 ns Power dissipation: 200 W
IGBT, TO-247; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2.7V; Power Dissipation Pd: 200W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 900V; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pins: 3Pins; MSL: -; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); Cur
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Package/Case:TO-247AC; Power Dissipation, Pd:200W; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Current Rating:51A; Mounting Type:Through Hole; Voltage Rating:900V ;RoHS Compliant: Yes
IGBT, 900V, 51A, TO-247AC; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:51A; Collector Emitter Voltage Vces:2.7V; Power Dissipation Pd:200W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:900V; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:51A; Current Temperature:25°C; Device Marking:IRG4PF50WPbF; Fall Time Max:220ns; Fall Time tf:220ns; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-247AC; Power Dissipation Max:200W; Power Dissipation Pd:200W; Power Dissipation Pd:200W; Pulsed Current Icm:204A; Rise Time:26ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:900V
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight38.000013 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage900 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.7 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)900 V
Continuous Collector Current51 A
Current Rating51 A
Element ConfigurationDual
Fall Time220 ns
Max Collector Current51 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Package Quantity400
PackagingBulk
Power Dissipation200 W
Rise Time26 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Turn-Off Delay Time110 ns
Turn-On Delay Time29 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height24.99 mm
Length15.875 mm
Width5.3 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade