Littelfuse IXTY32P05T
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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-04-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 7 months ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTD35P6LLF6
P-channel 60 V, 0.025 Ohm typ., 35 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
InfineonIPD26N06S2L35ATMA2
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 N-Channel 55 V 30A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
InfineonIPD25N06S4L30ATMA2
MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31 N-Channel 60 V 25A (Tc) 29W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
STMicroelectronicsSTD30NF04LT
N-channel 40 V, 0.03 Ohm typ., 30 A, STripFET(TM) II Power MOSFET in a DPAK package
Descrições
Descrições de Littelfuse IXTY32P05T fornecidas pelos seus distribuidores.
83W(Tc) 15V 4.5V@ 250¦ÌA 46nC@ 10 V 1P 50V 39m¦¸@ 16A,10V 32A 1.975nF@25V TO-252AA
Trench Gate Series -50V to -200V P-Channel Power MOSFETs, TO-252, RoHS
Littelfuse SCT
Discmsft Pchan-Trench Gate To-252D/ Tube; |Littelfuse IXTY32P05T
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 50V, 0.039ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Nomes alternativos do fabricante
Littelfuse possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Littelfuse também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- LITTLEFUSE
- Littelfuse Inc
- LITTELFU
- LITTEL
- LITTELFUS
- LIT
- LITTELF
- LITTLE
- LITT
- LITTLEFUSE INC
- LTF
- LTL
- LFUSE
- LIF
- L/F
- LITTLEFUS
- LITTLEFU
- LITTEIFUSE
- Littelfuse/Commercial Vehicle Products
- LTFUSE
- LITTELFUSE FAR EAST PTE LTD
- Hartland Controls / Littelfuse
- LITL
- Littelfuse - Raychem
- LITTELFUSE/WICKMANN
Histórico de estoque
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)32 A
Drain to Source Resistance39 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-50 V
Input Capacitance1.975 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation83 W
Min Breakdown Voltage50 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation83 W
Rds On Max39 mΩ
Reverse Recovery Time26 ns