Littelfuse IXTH50P10
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-02-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
InfineonIRFP140NPBF
MOSFET, Power; N-Channel; 0.052 Ohms (Max.) @ 10 V, 16 A; 100 V (Min.); 40 degC
InfineonIRFP3710PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.025Ohm;ID 57A;TO-247AC;PD 200W;VGS +/-20V
VishayIRFP9140PBF
Power MOSFET, General Purpose, P Channel, 100 V, 21 A, 0.2 ohm, TO-247AC, Through Hole
Descrições
Descrições de Littelfuse IXTH50P10 fornecidas pelos seus distribuidores.
IXTH50 Series 100 V 50 A 55 mOhm Single P-Channel MOSFET - TO-247-3
Trans MOSFET P-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Standard Series -100V to -600V P-Channel Power MOSFETs, TO-247, RoHS
Littelfuse SCT
MOSFET, P-CH, 50A, 100V, TO-247;
300W(Tc) 20V 5V@ 250¦ÌA 140nC@ 10 V 1P 100V 55m¦¸@ 25A,10V 50A 4.35nF@25V TO-247 16.26mm*5.3mm*21.46mm
Disc Mosfet P Channel-Std TO-247AD
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD
Mosfet, P-Ch, 100V, 50A, 150Deg C, 300W; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:50A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:5V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Littelfuse IXTH50P10
Nomes alternativos do fabricante
Littelfuse possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Littelfuse também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- LITTLEFUSE
- Littelfuse Inc
- LITTELFU
- LITTEL
- LITTELFUS
- LIT
- LITTELF
- LITTLE
- LITT
- LITTLEFUSE INC
- LTF
- LTL
- LFUSE
- LIF
- L/F
- LITTLEFUS
- LITTLEFU
- LITTEIFUSE
- Littelfuse/Commercial Vehicle Products
- LTFUSE
- LITTELFUSE FAR EAST PTE LTD
- Hartland Controls / Littelfuse
- LITL
- Littelfuse - Raychem
- LITTELFUSE/WICKMANN
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance55 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time38 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.35 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rds On Max55 mΩ
Reverse Recovery Time180 ns
Rise Time39 ns
Turn-Off Delay Time86 ns