Infineon IRFP140NPBF
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2008-03-13
LTD Date2008-09-13
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Descrições
Descrições de Infineon IRFP140NPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET, Power; N-Channel; 0.052 Ohms (Max.) @ 10 V, 16 A; 100 V (Min.); 40 degC
In a Tube of 25, IRFP140NPBF N-Channel MOSFET, 33 A, 100 V HEXFET, 3-Pin TO-247AC Infineon
Power MOSFET, HEXFET, N Channel, 100 V, 33 A, 0.052 ohm, TO-247AC, Through Hole
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N Channel Mosfet, 100V, 33A, To-247Ac; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:33A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Infineon IRFP140NPBF.
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)33 A
Current Rating27 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance52 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Dual Supply Voltage100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time33 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.4 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation94 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance52 mΩ
Package Quantity400
PackagingBulk
Power Dissipation94 W
Rds On Max52 mΩ
Recovery Time250 ns
Resistance52 mΩ
Rise Time39 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time44 ns
Turn-On Delay Time8.2 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height24.99 mm
Length15.87 mm
Width5.3086 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeContains Lead, Lead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade