Littelfuse IXTA26P20P
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginSouth Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2018-09-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
InfineonIPB072N15N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 100 A, 72 mOhm, TO-263 (D2PAK), 3 Pins, Surface Mount
VishaySUM65N20-30-E3
SUM65N20 Series 200 V 65 A 30 mOhm Surface Mount N-Channel Mosfet - D2PAK-3
InfineonIPB600N25N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 25 A, 0.051 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
VishaySUM40N15-38-E3
SUM40N15-38-E3 N-channel MOSFET Transistor; 40 A; 150 V; 2+Tab-Pin TO-263
Descrições
Descrições de Littelfuse IXTA26P20P fornecidas pelos seus distribuidores.
Mosfet, P-Ch, 200V, 26A, To-263Aa Rohs Compliant: Yes |Ixys Semiconductor IXTA26P20P
Single P-Channel 200 Vds 170 mOhm 300 W Power Mosfet - TO-263-3
Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) TO-263
Polar™ Series -100V to -600V P-Channel Power MOSFETs, TO-263AA, RoHS
Littelfuse SCT
Disc Mosfet P Channel-Polar TO-263D2
300W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 56nC@ 10 V 1P 200V 170m¦¸@ 13A,10V 26A 2.74nF@25V TO-263AA 10.41mm*9.65mm*4.83mm
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.17ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
P-CH -200V -26A 170mOhm TO-263D2
Nomes alternativos do fabricante
Littelfuse possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Littelfuse também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- LITTLEFUSE
- Littelfuse Inc
- LITTELFU
- LITTEL
- LITTELFUS
- LIT
- LITTELF
- LITTLE
- LITT
- LITTLEFUSE INC
- LTF
- LTL
- LFUSE
- LIF
- L/F
- LITTLEFUS
- LITTLEFU
- LITTEIFUSE
- Littelfuse/Commercial Vehicle Products
- LTFUSE
- LITTELFUSE FAR EAST PTE LTD
- Hartland Controls / Littelfuse
- LITL
- Littelfuse - Raychem
- LITTELFUSE/WICKMANN
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -100%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)26 A
Drain to Source Breakdown Voltage-200 V
Drain to Source Resistance170 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.74 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rds On Max170 mΩ
Reverse Recovery Time240 ns
Rise Time33 ns
Turn-Off Delay Time46 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Fichas técnicas e documentos
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