Infineon IPB200N25N3GATMA1

MOSFET Transistor, N Channel, 64 A, 250 V, 0.0175 ohm, 10 V, 3 V
$ 3.496
Production

Preço e estoque

Fichas técnicas e documentos

Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Infineon IPB200N25N3GATMA1.

IHS

Datasheet11 páginas14 anos atrás

Farnell

iiiC

Histórico de estoque

Tendência de 3 meses:
-0.36%

Modelos CAD

Baixe o símbolo, a pegada e os modelos 3D STEP de Infineon IPB200N25N3GATMA1 direto dos nossos confiáveis parceiros.

FONTEeCADmCADARQUIVOS
Component Search Engine
SímboloPegada
3DBaixar
EE Concierge
SímboloPegada
SnapEDA
Pegada
3DBaixar
O site do parceiro será aberto em uma nova aba ao baixar os seus modelos CAD
Ao baixar os modelos CAD do Octopart, você concorda com nossos Termos e Condições e Política de Privacidade.

Peças alternativas

Price @ 1000
$ 3.496
$ 3.445
Stock
909,880
395,759
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-263
TO-263-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
250 V
Continuous Drain Current (ID)
64 A
64 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
20 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
300 W
300 W
Input Capacitance
5.34 nF
7 nF

Cadeia de suprimentos

Country of OriginGermany, Malaysia, Mexico
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-10-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)

Peças relacionadas

onsemiFDB8832
N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET, 30V, 80A, 2.1mΩ
onsemiFDB8441
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
SUM65N20 Series 200 V 65 A 30 mOhm Surface Mount N-Channel Mosfet - D2PAK-3
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 83 A, 0.0091 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
N-Channel 60 V 3.5 mOhm Surface Mount PowerTrench® Mosfet - D2PAK-3
300W 20V 2V 65nC@ 10V 1N 200V 10.7m¦¸@ 10V 88A 5.34nF@ 100V TO-263 , 10mm*9.25mm*4.4mm

Descrições

Descrições de Infineon IPB200N25N3GATMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.

MOSFET Transistor, N Channel, 64 A, 250 V, 0.0175 ohm, 10 V, 3 V
Trans MOSFET N-CH 250V 64A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 250V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N CH, 250V, 64A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:64A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):0.0175ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; P
Infineon's 250V OptiMOS™ products are performance leading benchmark technologies, perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters for DC motor drives.

Nomes alternativos do fabricante

Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

  • IPB200N25N3 G
  • IPB200N25N3-G
  • IPB200N25N3G
  • SP000677896