Littelfuse IXTA06N120P
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Peças relacionadas
InfineonSPB18P06PGATMA1
MOSFET, P-CH, 60V, 18.7A, TO-263; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drai
VishaySUM55P06-19L-E3
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 55 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Descrições
Descrições de Littelfuse IXTA06N120P fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 1200V, 34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Mosfet, N-Ch, 1.2Kv, 0.6A, To-263; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:1.2Kv; Continuous Drain Current Id:600Ma; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Littelfuse IXTA06N120P
Nomes alternativos do fabricante
Littelfuse possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Littelfuse também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- LITTLEFUSE
- Littelfuse Inc
- LITTELFU
- LITTEL
- LITTELFUS
- LIT
- LITTELF
- LITTLE
- LITT
- LITTLEFUSE INC
- LTF
- LTL
- LFUSE
- LIF
- L/F
- LITTLEFUS
- LITTLEFU
- LITTEIFUSE
- Littelfuse/Commercial Vehicle Products
- LTFUSE
- LITTELFUSE FAR EAST PTE LTD
- Hartland Controls / Littelfuse
- LITL
- Littelfuse - Raychem
- LITTELFUSE/WICKMANN
Histórico de estoque
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-263
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)600 mA
Drain to Source Breakdown Voltage1.2 kV
Drain to Source Resistance34 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)1.2 kV
Element ConfigurationSingle
Fall Time27 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance270 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation42 W
Min Breakdown Voltage1.2 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation42 W
Rds On Max34 Ω
Reverse Recovery Time900 ns
Rise Time24 ns
Turn-Off Delay Time50 ns
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