Rochester Electronics IPB093N04LG
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-12-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2013-02-28
LTD Date2013-08-31
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTB11N52K3
N-channel 525 V, 0.41 Ohm, 10 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in D2PAK package
Descrições
Descrições de Rochester Electronics IPB093N04LG fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
46 A 40 V 0.0093 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-263AB
Compliant Surface Mount, Through Hole 3.2 ns 2.8 ns No SVHC 23 mΩ TO-263 3
47W 20V 21nC 1N 40V 9.3m¦¸@ 10V 50A 1.6nF@ 20V TO-263 , 10mm*9.25mm*4.4mm
Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 40V, 0.0093ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N CH, 50A, 40V, PG-TO263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):7.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:47W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:50A; Power Dissipation Pd:47W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
Nomes alternativos do fabricante
Rochester Electronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Rochester Electronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Rochester Electronics LLC
- ROCHESTER
- ROCHESTER ELECTRONIC
- ROCHESTER ELECTRONICS INC
- ONSEMI (VIA ROCHESTER)
- Rochester Electron
- ROCHESTER(REI)
- ROCHESTER INSTRUMENT
- REI
- Triscend Corp
- NFROCHESTER
- ROCHESTER ELECT INC
- Rochester(Intersil)
- Rochester Elec
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -14.29%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-263
MountSurface Mount, Through Hole
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)46 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance9.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.6 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation47 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation47 W
Rds On Max23 mΩ
Rise Time2.8 ns
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time4.7 ns
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade