Littelfuse IXTA02N250HV
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Tendência de 3 meses: +182%
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Fichas técnicas e documentos
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-04-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
onsemiBBS3002-TL-1E
MOSFET P-CH 60V 100A D2PAK / P-Channel 60 V 100A (Ta) 90W (Tc) Surface Mount D2PAK (TO-263)
InfineonIPB35N10S3L26ATMA1
100V, N-Ch, 26.3 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T, PG-TO263-3, RoHS
Descrições
Descrições de Littelfuse IXTA02N250HV fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263AB / N-Channel 2500 V 200mA (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Mosfet, 0.2A, 2.5Kv, 83W, To-263Ab Rohs Compliant: Yes |Littelfuse IXTA02N250HV
Trans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-263ABVHV
Very High Voltage Series - 2500V - 4700V N-Channel Standard Power MOSFETs, TO-263HV, RoHS
Littelfuse SCT
83W(Tc) 20V 4.5V@ 250¦ÌA 7.4nC@ 10 V 1N 2.5KV 450¦¸@ 50mA,10V 200mA 116pF@25V TO-263AA
Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 2500V, 450ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263AB
DiscMosfet NCh Std-VeryHiVolt TO-263D2
Nomes alternativos do fabricante
Littelfuse possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Littelfuse também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- LITTLEFUSE
- Littelfuse Inc
- LITTELFU
- LITTEL
- LITTELFUS
- LIT
- LITTELF
- LITTLE
- LITT
- LITTLEFUSE INC
- LTF
- LTL
- LFUSE
- LIF
- L/F
- LITTLEFUS
- LITTLEFU
- LITTEIFUSE
- LTFUSE
- LITTELFUSE FAR EAST PTE LTD
- Hartland Controls / Littelfuse
- Littelfuse/Commercial Vehicle Products
- LITL
- Littelfuse - Raychem
- LITTELFUSE/WICKMANN
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +182%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight1.770002 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)200 mA
Drain to Source Breakdown Voltage2.5 kV
Drain to Source Resistance450 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)2.5 kV
Element ConfigurationSingle
Fall Time33 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance116 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation83 W
Min Breakdown Voltage2.5 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation83 W
Rds On Max450 Ω
Reverse Recovery Time1.5 µs
Rise Time19 ns
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Dimensions
Height4.7 mm
Fichas técnicas e documentos
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