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$ 0.186
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Stock
425
401,431
401,431
Authorized Distributors
0
1
1
Mount
-
Through Hole
Through Hole
Case/Package
-
TO-251-3
TO-251-3
Drain to Source Voltage (Vds)
-
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
11 A
12 A
12 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
-
150 mΩ
150 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
-
20 V
20 V
Power Dissipation
48 W
53 W
53 W
Input Capacitance
-
300 pF
300 pF
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1995-12-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
Descrições
Descrições de Intersil RFD3055LE fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK
12A, 60V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Nomes alternativos do fabricante
Intersil possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Intersil também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- INTER
- INTERS
- ISL
- INTERSI
- Intersil Corporation
- INTERSIL CORP
- INTESIL
- INSL
- INTR
- INTERSL
- INTS
- Intersil (Renesas Electronics America)
- Harris Semiconductor
- INTERSIL/HARRIS
- INTRSL
- INTSL
- INERSIL
- HARRIS SEMI
- Intersil (Renesas Electronics Corporation)
- Intersil(Renesas Electronics)
- INTERSIL CHINA LIMITED
- Intersil / Renesas
- INTERSIL/PBF
- Harris / Intersil
- INTERSIL A RENESAS COMPANY
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Especificações técnicas
Physical
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Resistance107 mΩ
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation38 W
Min Breakdown Voltage60 V
Number of Elements1
Power Dissipation48 W
Fichas técnicas e documentos
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