Infineon IRLSL3036PBF
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-12-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2019-11-15
LTD Date2020-05-15
Peças relacionadas
InfineonIRFSL3107PBF
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
InfineonIRFSL3206PBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
Descrições
Descrições de Infineon IRLSL3036PBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 60 V 2.4 mOhm 91 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262-3
MOSFET, 60V, 270A, 2.4 MOHM, 91 NC QG, LOGIC LEVEL, TO262
Trans MOSFET N-CH 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-262
MOSFET N-CH 60V 195A TO262 / HEXFET Power MOSFET
Benefits: RoHS Compliant; Logic Level
Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 60V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:60V; Continuous Drain Current, Id:195A; On Resistance, Rds(on):1.9mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.5V ;RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-262
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)195 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance2.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time110 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance11.21 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation380 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance2.4 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation380 W
Rds On Max2.4 mΩ
Resistance2.4 MΩ
Rise Time220 ns
Turn-Off Delay Time110 ns
Turn-On Delay Time66 ns
Dimensions
Height15.1 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade