Infineon IRFSL3006PBF
$ 9.85
Obsolete
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRFSL3006PBF | 0 | 300 | Bulk | 18h | |||||||
| Microchip USA | IRFSL3006PBF | 1.274 | 600 | Tube | 4d | |||||||
| Weyland Electronics Group Pte. Ltd. | IRFSL3006PBF | 11.111 | 1 | Tape & Reel | 8h | |||||||
| Win Source | WS-IRFSL3006PBF | 20 | 5 | 6h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRFSL3006PBF | 9.604 | 7 | Tube | 5h |
Modelos CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SímboloPegada |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-10-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31
Peças relacionadas
InfineonIRFSL3206PBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
InfineonIRFSL3107PBF
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
Descrições
Descrições de Infineon IRFSL3006PBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 60 V 2.5 mOhm 200 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262-3
Trans MOSFET N-CH 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
MOSFET MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC
375W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 300nC@ 10 V 1N 60V 2.5m¦¸@ 170A,10V 195A 8.97nF@50V TO-262 10.2mm*4.5mm*9.45mm
Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 60V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:60V; Continuous Drain Current, Id:270A; On Resistance, Rds(on):2.5mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:4V ;RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-262
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)195 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance2.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Fall Time189 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance8.97 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance2.5 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation375 W
Rds On Max2.5 mΩ
Resistance2.5 MΩ
Rise Time182 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time118 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height15.1 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade