Infineon IRLR8259TRPBF
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Obsolete
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRLR8259TRPBF | 0 | 20 | Bulk | 6h | |||||||
| Farnell | IRLR8259TRPBF | 0 | 1 | Cut Tape | 1h | |||||||
| Microchip USA | IRLR8259TRPBF | 2.051 | 3K | Tray | 2d | |||||||
| Weyland Electronics Group Pte. Ltd. | IRLR8259TRPBF | 800 | 1 | Tape & Reel | 2d | |||||||
| Win Source | WS-IRLR8259TRPBF | 16.280 | 28 | 14h |
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 EE Concierge | SímboloPegada | ||
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2
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
25 V
Continuous Drain Current (ID)
42 A
42 A
Threshold Voltage
-
1.9 V
Rds On Max
8.7 mΩ
8.7 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
48 W
48 W
Input Capacitance
900 pF
900 pF
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-12-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31
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Descrições
Descrições de Infineon IRLR8259TRPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
IRLR8259 Series 25 V 8.7 mOhm 6.8 nC Surface Mount HEXFET Power MOSFET - DPAK-3
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Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)42 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance8.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance900 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation48 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance8.7 mΩ
Package Quantity2000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation48 W
Rds On Max8.7 mΩ
Rise Time38 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time9.1 ns
Turn-On Delay Time8.4 ns
Dimensions
Height2.52 mm
Length6.7056 mm
Width6.22 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade