Infineon IRLR3717PBF
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-06-27
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15
Peças relacionadas
InfineonIRFR3711ZTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 4.5Milliohms;ID 93A;D-Pak (TO-252AA);PD 79W
InfineonIRLR6225PBF
Inductor RF Chip Wirewound 2.4nH 0.2nH 100MHz 20Q-Factor 850mA 50mOhm DCR 0402 Paper T/R
onsemiNTD110N02R
Tube Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 12.5A Ta 110A Tc 110A 2.88W 21ns
Descrições
Descrições de Infineon IRLR3717PBF fornecidas pelos seus distribuidores.
IRLR3717PBF N-channel MOSFET Transistor, 120 A, 20 V, 3-Pin DPAK
Single N-Channel 20 V 5.5 mOhm 31 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N, LOGIC, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:89W; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D-PAK; Current Id Max:120A; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:89W; Power Dissipation Pd:89W; Pulse Current Idm:460A; SMD Marking:IRLR3717; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:2V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 A
Current Rating120 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.83 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation89 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance4.2 mΩ
Package Quantity3000
Power Dissipation89 W
Rds On Max4 mΩ
Recovery Time33 ns
Resistance4 MΩ
Rise Time14 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time5.8 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Dimensions
Height2.2606 mm
Length6.7056 mm
Width6.22 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade