Infineon IRLR2905ZTRPBF
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Mount
Surface Mount
Surface Mount
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Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
42 A
42 A
42 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
13.5 mΩ
13.5 mΩ
13.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
16 V
16 V
Power Dissipation
110 W
110 W
110 W
Input Capacitance
1.57 nF
1.57 nF
1.57 nF
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-03-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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onsemiNTDV5805NT4G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel MOSFET (Metal Oxide) Mosfet Transistor 51A Tc 51A 47W 40V
Descrições
Descrições de Infineon IRLR2905ZTRPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
In a Tube of 75, N-Channel MOSFET, 60 A, 55 V, 3-Pin DPAK Infineon IRLR2905ZPBF
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Single N-Channel 55 V 22.5 mOhm 35 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature; Logic Level | Target Applications: AC-DC
N CHANNEL MOSFET, 55V, 42A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:42mA; Drain Source Voltage, Vds:55V; On Resistance, Rds(on):0.135ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1V ;RoHS Compliant: Yes
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 42 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 55 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 13.5 / Gate-Source Voltage V = 16 / Fall Time ns = 33 / Rise Time ns = 130 / Turn-OFF Delay Time ns = 24 / Turn-ON Delay Time ns = 14 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 110
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)42 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance13.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time33 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance1.57 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance13.5 mΩ
Package Quantity2000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation110 W
Rds On Max13.5 mΩ
Rise Time130 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time24 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.7056 mm
Width6.22 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade