Infineon IRL540NSTRLPBF
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | IRL540NSTRLPBF | 33.600 | 800 | 2d | ||||||||
| Newark | IRL540NSTRLPBF | 1.167 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | IRL540NSTRLPBF | 4.660 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | IRL540NSTRLPBF | 40.800 | 800 | Tape & Reel | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRL540NSTRLPBF | 7 | 1 | Bulk | 14h |
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Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
36 A
36 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
44 mΩ
44 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
16 V
Power Dissipation
3.8 W
3.8 W
Input Capacitance
1.8 nF
1.8 nF
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-05-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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InfineonIRF1310NSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.036Ohm;ID 42A;D2Pak;PD 160W;VGS +/-20V
InfineonIRF1310NSTRLPBF
Single N-Channel 100 V 160 W 110 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK
STMicroelectronicsSTB40NF10LT4
N-CHANNEL 100V 0.028 OHM 40A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
STMicroelectronicsSTB35NF10T4
N-Channel 100V - 0.030 Ohm - 40A - D2PAK LOW GATE CHARGE StripFET(TM) POWER MOSFET
InfineonIRF1310NSTRRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.036Ohm;ID 42A;D2Pak;PD 160W;VGS +/-20V
Descrições
Descrições de Infineon IRL540NSTRLPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor MOSFET N Channel 100 Volt 36 Amp 3-Pin 2+ Tab D2pak Tape And Reel
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.044Ohm;ID 36A;D2Pak;PD 140W;VGS +/-16V
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 100 V 0.063 Ohm 74 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 100V, 0.053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; Logic Level
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:36A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V; Power Dissipation:140W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRL540NSTRLPBF.
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 36 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 44 / Gate-Source Voltage V = 16 / Fall Time ns = 62 / Rise Time ns = 81 / Turn-OFF Delay Time ns = 39 / Turn-ON Delay Time ns = 11 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-263 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 140
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)36 A
Current Rating36 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance53 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time62 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance1.8 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation3.8 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance44 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation3.8 W
Rds On Max44 mΩ
Resistance53 mΩ
Rise Time81 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time39 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade