Infineon IRFS7730TRLPBF

75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
$ 1.595
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DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
34AC17602671
2d
NewarkIRFS7730TRLPBF2671Cut Tape
Arrow ElectronicsIRFS7730TRLPBF2351
RS (Formerly Allied Electronics)IRFS7730TRLPBF02Bulk
17h
Future Electronics
2
IRFS7730TRLPBF0800Tape & Reel

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IHS

Datasheet12 páginas11 anos atrás

Farnell

Future Electronics

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InfineonIRFS7730TRLPBF
InfineonIRFS7730PBF
Price @ 1000
$ 1.595
$ 1.24
Stock
149,280
145,854
Authorized Distributors
6
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
75 V
Continuous Drain Current (ID)
195 A
195 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
2.6 mΩ
2.6 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
375 W
375 W
Input Capacitance
13.66 nF
13.66 nF

Cadeia de suprimentos

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-01-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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AUIRFS3107 Series 75 V 195 A 370 W SMT HEXFET® Power MOSFET - D2PAK-3
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STMicroelectronicsSTH265N6F6-2AG
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2 / N-Channel 60 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
Detalhes
STMicroelectronicsSTH275N8F7-2AG
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Detalhes
onsemiFDB039N06
Trans MOSFET N-CH 60V 174A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Detalhes

Descrições

Descrições de Infineon IRFS7730TRLPBF fornecidas pelos seus distribuidores.

75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 75V 2.6 mOhm 271 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Future Electronics
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 75V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET, N-CH, 75V, 195A, TO-263AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 195A; Drain Source Voltage Vds: 75V; On Resistance Rds(on): 0.0022ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.7V;
Farnell
Benefits: Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness; Fully characterized capacitance and avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability; Lead-free, RoHS compliant; StrongIRFET
Infineon

Imagens

Infineon
RS
Newark
Farnell
TME
Future Electronics
Rochester Electronics

Nomes alternativos do fabricante

Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

  • SP001557578