Infineon IRFS4229TRLPBF
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Authorized Distributors
6
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
250 V
Continuous Drain Current (ID)
45 A
45 A
Threshold Voltage
-
5 V
Rds On Max
48 mΩ
48 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
30 V
Power Dissipation
330 W
330 W
Input Capacitance
4.56 nF
4.56 nF
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-04-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET PDP Switch in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Descrições
Descrições de Infineon IRFS4229TRLPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET PDP Switch in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 250 V 48 mOhm 72 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
N CH HEXFET POWER MOSFET, PDP SWITCH, 250V, 45A, D2PAK, FULL REEL
Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 250V, 0.048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 250V, 45A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:45A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):0.042ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; Po
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)45 A
Drain to Source Breakdown Voltage250 V
Drain to Source Resistance48 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance4.56 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation330 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance48 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation330 W
Rds On Max48 mΩ
Resistance48 MΩ
Rise Time31 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade