Infineon IRFS3307TRLPBF
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Obsolete
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IRFS3307TRLPBF | 772 | 5h | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRFS3307TRLPBF | 0 | 800 | Bulk | 22h | |||||||
| Microchip USA | IRFS3307 | 126 | 600 | Tube | 21h | |||||||
| Verical | IRFS3307TRLPBF | 772 | 182 | |||||||||
| Win Source | WS-IRFS3307 | 3.495 | 18 | 6h |
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Authorized Distributors
2
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
75 V
Continuous Drain Current (ID)
75 A
75 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
6.3 mΩ
6.3 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
250 W
200 W
Input Capacitance
5.15 nF
5.15 nF
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-10-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-10-15
LTD Date2023-04-15
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Descrições
Descrições de Infineon IRFS3307TRLPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 75 V 6.3 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
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Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Current Rating130 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance6.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time63 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.15 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance6.3 mΩ
Package Quantity800
PackagingBulk
Power Dissipation250 W
Rds On Max6.3 mΩ
Resistance6.3 MΩ
Rise Time120 ns
Turn-Off Delay Time51 ns
Turn-On Delay Time26 ns
Voltage Rating (DC)75 V
Dimensions
Height4.572 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade