Infineon IRFR5410PBF
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InfineonIRFR5410TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 0.205Ohm;ID -13A;D-Pak (TO-252AA);PD 66W
InfineonIRFR5410TRLPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 0.205Ohm;ID -13A;D-Pak (TO-252AA);PD 66W
InfineonAUIRFR5410
Automotive Q101 -100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, DPAK-3, RoHS
onsemiHUF76609D3S
10A, 100V, 0.165 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Descrições
Descrições de Infineon IRFR5410PBF fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 0.205Ohm;ID -13A;D-Pak (TO-252AA);PD 66W
Transistor MOSFET P Channel 100 Volt 13 Amp 3 Pin 2+ Tab Dpak
Single P-Channel 100 V 0.205 Ohm 58 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.205ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; P-Channel MOSFET
MOSFET, P, -100V, 13A, D-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:13A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):205mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V; Power Dissipation Pd:66W; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D-PAK; Current Id Max:-13A; Junction to Case Thermal Resistance A:1.9°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:205mohm; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:66W; Power Dissipation Pd:66W; Pulse Current Idm:5.2A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:-100V; Voltage Vgs Max:-4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Current Rating-13 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance205 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-100 V
Dual Supply Voltage-100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time46 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance760 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation66 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance205 mΩ
Package Quantity3000
Power Dissipation66 W
Rds On Max205 mΩ
Recovery Time190 ns
Resistance205 mΩ
Rise Time58 ns
Threshold Voltage-4 V
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)-100 V
Dimensions
Height2.52 mm
Length6.7056 mm
Width6.22 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade