Infineon IRFR3708TRPBF
$ 0.387
Obsolete
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | IRFR3708TRPBF | 2 | 1 | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRFR3708TRPBF | 0 | 2K | Bulk | 6h | |||||||
| Farnell | IRFR3708TRPBF | 0 | 1 | Cut Tape | 13h | |||||||
| Win Source | WS-IRFR3708TRPBF | 11.860 | 12 | 14h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRFR3708TRPBF | 9.979 | 7 | Tape & Reel | 1d |
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 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | Baixar | |
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-03-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-10-31
LTD Date2021-04-30
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MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7.5Milliohms;ID 65A;D-Pak (TO-252AA);PD 75W
InfineonIRLR7821PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7.5Milliohms;ID 65A;D-Pak (TO-252AA);PD 75W
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Mosfet, N-Ch, 30V, 43A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN3010LK3-13
VishaySQD45P03-12_GE3
SQD45P03-12_GE3 P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 37 A, 30 V, 3-PIN TO-252AA
Descrições
Descrições de Infineon IRFR3708TRPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 8.5Milliohms;ID 61A;D-Pak (TO-252AA);PD 87W
Single N-Channel 30 V 12.5 mOhm 24 nC HEXFET® Power Mosfet TO-252AA
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Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:61A; On Resistance, Rds(on):12.5mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:DPAK ;RoHS Compliant: Yes
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance12.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance2.417 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation87 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance12.5 mΩ
Package Quantity2000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation87 W
Rds On Max12.5 mΩ
Resistance12.5 MΩ
Rise Time50 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time17.6 ns
Turn-On Delay Time7.2 ns
Dimensions
Height2.52 mm
Length6.7056 mm
Width6.22 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade