Infineon IRLR7821TRLPBF
$ 0.425
Obsolete
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRLR7821TRLPBF | 0 | 3K | Bulk | 18h | |||||||
| Mouser | 942-IRLR7821TRLPBF | 1.801 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Component Stockers USA | IRLR7821TRLPBF | 10.835 | 1d | |||||||||
| Win Source | WS-IRLR7821TRLPBF | 15.127 | 65 | 3h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRLR7821TRLPBF | 13.306 | 7 | Tape & Reel | 2h |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-03-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
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Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 80A Tc 80A 75W 40ns
Descrições
Descrições de Infineon IRLR7821TRLPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7.5Milliohms;ID 65A;D-Pak (TO-252AA);PD 75W
Single N-Channel 30 V 12.5 mOhm 14 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Ultra-Low Gate Impedance; Logic Level
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N; MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:65A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):7.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:20V; Power Dissipation Pd:75W
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)65 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance10 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.03 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation75 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs20 V
Number of Elements1
On-State Resistance10 mΩ
Package Quantity3000
Power Dissipation75 W
Rds On Max10 mΩ
Rise Time4.2 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage20 V
Turn-Off Delay Time10 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height2.3876 mm
Length6.7056 mm
Width6.22 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade