Infineon IRFP7537PBF
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EOL
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-01-16
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2026-05-31
LTD Date2026-11-30
Peças relacionadas
InfineonIRFP7530PBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free TO-247AC package, TO247-3, RoHS
Descrições
Descrições de Infineon IRFP7537PBF fornecidas pelos seus distribuidores.
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free TO-247AC package, TO247-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 60 V 3.3 mOhm 210 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-247-3
Power Field-Effect Transistor, 172A I(D), 60V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -12.75%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight38.000013 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)172 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance3.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time84 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.02 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation230 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance3.3 mΩ
Package Quantity400
Power Dissipation230 W
Rds On Max3.3 mΩ
Rise Time105 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.7 V
Turn-Off Delay Time82 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height24.99 mm
Length15.87 mm
Width5.31 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade