Infineon IRFN9140
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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1993-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Peças relacionadas
International RectifierIRF7NJZ44V
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
InfineonBTS114AE3045A
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
VishaySI5468DC-T1-GE3
Single N-Channel 30 V 28 mOhm SMT TrenchFET Power Mosfet - 1206-8 ChipFET
VishaySI5902BDC-T1-GE3
SI5902BDC-T1-GE3 DUAL N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR,3.7 A,30V,8-PIN 1206 CHIPFET
Descrições
Descrições de Infineon IRFN9140 fornecidas pelos seus distribuidores.
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
IRFN Series 1 100 V 18 A 220 mOhm Surface Mount Hexfet Power Mosfet - SMD-1
Trans Mosfet P-Ch 100V 18A 3Smd-1 Rohs Compliant: No
-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-1 package, SMD-1-3
Infineon SCT
Trans MOSFET P-CH 100V 18A 3-Pin SMD-1
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
EXFET, Hi-Rel, -100v, -18A, .32 Ohohms, SMD-1
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Body MaterialCeramic
Case/PackageSMD/SMT
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance220 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)-100 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.4 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation75 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-50 °C
Nominal Vgs-4 V
Number of Elements1
On-State Resistance200 mΩ
Power Dissipation125 W
Turn-Off Delay Time85 ns
Turn-On Delay Time35 ns
Dimensions
Height3.0734 mm
Length11.5316 mm
Width16.002 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSNon-Compliant
Declarações de conformidade