Vishay SI5403DC-T1-GE3
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginUSA
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-07-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
Descrições
Descrições de Vishay SI5403DC-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
P-Channel 30 V 0.03 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SMD-8
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin Chip FET T/R
30V 6A 30mΩ@10V,7.2A 6.3W P Channel ChipFET1206-8 MOSFETs ROHS
Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
2.5W(Ta),6.3W(Tc) 20V 3V@ 250¦ÌA 42nC@ 10 V 1P 30V 30m¦¸@ 7.2A,10V 6A 1.34nF@15V 3.05mm*1.65mm*1.14mm
MOSFET, P-CH, -30V, 6A, CHIFFET; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: 6A; Drain Source Voltage Vds: -30V; On Resistance Rds(on): 0.025ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -3V; Power Dissipation Pd: 6.3W; Transistor Case Style: ChipFET; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: TrenchFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +5.06%
Modelos CAD
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Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSMD/SMT
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight84.99187 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance30 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Fall Time18 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.34 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation6.3 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max30 mΩ
Resistance30 mΩ
Rise Time140 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-3 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time50 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length3.05 mm
Width1.65 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade