Infineon IRFB42N20DPBF
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-03-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2012-12-28
LTD Date2013-06-28
Peças relacionadas
InfineonIRFB38N20DPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.054Ohm;ID 43A;TO-220AB;PD 300W;VGS +/-30V
InfineonIRFB260NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.04Ohm;ID 56A;TO-220AB;PD 380W;VGS +/-20V
Descrições
Descrições de Infineon IRFB42N20DPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 200 V 0.055 Ohm 91 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.055ohm, Id=44A) | MOSFET N-CH 200V 44A TO-220AB
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET, 200V, 42.6A, 55 mOhm, 91 nC Qg, TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
MOSFET, N, 200V, 42.6A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:42.6A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):55mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5.5V; Power Dissipation Pd:300W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:44A; Junction to Case Thermal Resistance A:0.5°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:55ohm; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:300W; Power Dissipation Pd:300W; Pulse Current Idm:180A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:200V; Voltage Vgs Max:5.5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses; Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)44 A
Current Rating42 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance55 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Dual Supply Voltage200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time32 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance3.43 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs5.5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance55 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation2.4 W
Rds On Max55 mΩ
Recovery Time330 ns
Resistance55 Ω
Rise Time69 ns
Threshold Voltage5.5 V
Turn-Off Delay Time29 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Dimensions
Height19.8 mm
Length10.5156 mm
Width4.69 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeContains Lead, Lead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade