Infineon IRF9Z24NSPBF
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Obsolete
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IRF9Z24NSPBF | 26 | 17h | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF9Z24NSPBF | 0 | 600 | Bulk | 10h | |||||||
| Farnell | IRF9Z24NSPBF | 0 | 5 | 17h | ||||||||
| Win Source | WS-IRF9Z24NSPBF | 13.040 | 40 | 19h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF9Z24NSPBF | 9.795 | 7 | Tube | 17h |
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Stock
143,179
379,467
Authorized Distributors
3
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
-55 V
-55 V
Continuous Drain Current (ID)
12 A
12 A
Threshold Voltage
-4 V
4 V
Rds On Max
175 mΩ
175 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
3.8 W
3.8 W
Input Capacitance
350 pF
350 pF
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2005-04-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
Descrições
Descrições de Infineon IRF9Z24NSPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
-55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET P-CH 55V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; P-Channel MOSFET
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-55V; Continuous Drain Current, Id:-12A; On Resistance, Rds(on):175mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V; Package/Case:D2-PAK ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, P, D2-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):175mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V; Power Dissipation Pd:45W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D2-PAK; Current Id Max:-12A; Current Temperature:25°C; External Depth:15.49mm; External Length / Height:4.69mm; External Width:10.54mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:175°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; No. of Transistors:1; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:45W; Power Dissipation Pd:45W; Power Dissipation on 1 Sq. PCB:3.8W; Pulse Current Idm:48A; SMD Marking:F9Z24NS; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:55V; Voltage Vgs Max:-4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage-55 V
Drain to Source Resistance175 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-55 V
Dual Supply Voltage55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time37 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance350 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance175 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation3.8 W
Rds On Max175 mΩ
Rise Time55 ns
Threshold Voltage-4 V
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width10.54 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade