Infineon IRF8252PBF
Obsolete
Preço e estoque
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Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | IRF8252PBF | 975 | 3334 | 3h | ||||||||
| Flip Electronics | IRF8252PBF | 975 | 6d | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF8252PBF | 0 | 3800 | Bulk | 17h | |||||||
| Farnell | IRF8252PBF | 0 | 1 | 1d | ||||||||
| Win Source | WS-IRF8252PBF | 7.900 | 30 | 1h |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-07-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2016-12-02
LTD Date2017-09-02
Peças relacionadas
InfineonIRF7832TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.1Milliohms;ID 20A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
VishaySI4156DY-T1-GE3
Si4156DY Series N-Channel 30 V 0.006 Ohm 6 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Descrições
Descrições de Infineon IRF8252PBF fornecidas pelos seus distribuidores.
2.5W(Ta) 20V 2.35V@ 100¦ÌA 53nC@ 4.5 V 1N 25V 2.7m¦¸@ 25A,10V 25A 5.305nF@13V SOIC-8
Trans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin SOIC Tube
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free SO-8 package designed for high efficiency DC-DC converters, SO8, RoHS
Infineon SCT
MOSFET, N-CH, 25V, SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation Pd:2.5W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:25A; Package / Case:SOIC-8; Power Dissipation Pd:2.5W; Pulse Current Idm:200A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:25V; Voltage Vgs Max:1.8V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.35V; Voltage Vgs th Min:1.35V
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)25 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance2.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Dual Supply Voltage25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.305 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.8 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance2.7 mΩ
Package Quantity3800
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max2.7 mΩ
Recovery Time29 ns
Resistance2.7 MΩ
Rise Time32 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage1.8 V
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time23 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade