Infineon IRF7457TRPBF
Obsolete
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF7457TRPBF | 0 | 4K | Bulk | 4h | |||||||
| Farnell | IRF7457TRPBF | 0 | 1 | Cut Tape | 15h | |||||||
| Win Source | WS-IRF7457TRPBF | 5.590 | 12 | 15h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF7457TRPBF | 15.400 | 7 | Tape & Reel | 1d | |||||||
| ICPartonline | IRF7457TRPBF | 26.485 | >1wk |
Fichas técnicas e documentos
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Modelos CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SímboloPegada |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-04-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
InfineonIRF7456TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 0.0047Ohm;ID 16A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V;-55
InfineonIRF3717TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 3.7Milliohms;ID 20A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Descrições
Descrições de Infineon IRF7457TRPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 5.5Milliohms;ID 15A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Single N-Channel 20 V 7 mOhm 28 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Trans MOSFET N-CH 20V 15A 8-Pin SOIC T/R / MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 20V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:15A; On Resistance Rds(On):0.0055Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V Rohs Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Current Rating15 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time7.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.1 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance7 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max7 mΩ
Resistance7 MΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time16 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade