Infineon IRF6716MTRPBF
$ 2.48
EOL
Preço e estoque
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IRF6716MTRPBF | 89.960 | 17h | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF6716MTRPBF | 0 | 4800 | Bulk | 10h | |||||||
| Avnet | IRF6716MTRPBF | 0 | 4800 | 2d | ||||||||
| Arrow Electronics | IRF6716MTRPBF | 0 | 4800 | |||||||||
| Farnell | IRF6716MTRPBF | 0 | 1 | Cut Tape | 17h |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-02-20
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2026-05-31
LTD Date2026-11-30
Peças relacionadas
InfineonIRF6898MTRPBF
HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode | MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET
STMicroelectronicsSTL150N3LLH5
N-channel 30 V, 0.0014 Ohm typ., 35 A STripFET(TM) V Power MOSFET in PowerFLAT(TM) 5x6 package
Descrições
Descrições de Infineon IRF6716MTRPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET / Trans MOSFET N-CH Si 25V 39A 7-Pin Direct-FET MX T/R
A 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MX package rated at 39 amperes optimized with low on resistance. Shipped in Tape and Reel only. Part is not available in bulk, TR is implied in part number.
3.6W(Ta),78W(Tc) 20V 2.4V@ 100¦ÌA 59nC@ 4.5 V 1N 25V 1.6m¦¸@ 40A,10V 39A,180A 5.15nF@13V MG-WDSON-5 , 6.35mm*5.05mm*700¦Ìm
N Channel, MOSFET, 25V, 39A, DirectFET MX; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:39A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):0.0012ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.9V ;RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins5
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)39 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance1.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Fall Time41 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.15 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation78 W
Manufacturer Package IdentifierMG-WDSON-5
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance1.6 mΩ
Package Quantity4800
PackagingTape & Reel
Power Dissipation3.6 W
Rds On Max1.6 mΩ
Rise Time105 ns
Threshold Voltage1.9 V
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time26 ns
Dimensions
Height700 µm
Length6.35 mm
Width5.05 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade