Infineon IRF6643TRPBF
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6
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1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
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Case/Package
-
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
150 V
150 V
Continuous Drain Current (ID)
6.2 A
6.2 A
6.2 A
Threshold Voltage
4 V
4 V
4 V
Rds On Max
34.5 mΩ
34.5 mΩ
34.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
2.8 W
-
-
Input Capacitance
2.34 nF
2.34 nF
2.34 nF
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2006-10-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30
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Descrições
Descrições de Infineon IRF6643TRPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 150 V 34.5 mOhm 39 nC HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
A 150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MZ package rated at 35 amperes optimized with low on resistance for applications such as active ORing. Shipped in Tape and Reel only. Part is not available in bulk, TR is implied in part number.
N CHANNEL MOSFET, 150V, 6.2mA; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:6.2mA; Drain Source Voltage, Vds:150V; On Resistance, Rds(on):0.0029ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:4V ;RoHS Compliant: Yes
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins5
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance34.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Fall Time4.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.34 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation89 W
Manufacturer Package IdentifierMG-WDSON-5
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance34.5 mΩ
Package Quantity4800
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.8 W
Rds On Max34.5 mΩ
Rise Time5 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time9.2 ns
Dimensions
Height700 µm
Length6.35 mm
Width5.0546 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade