Infineon IRF6619TR1
$ 1.525
Obsolete
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | IRF6619TR1CT-ND | 7.158 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Farnell | IRF6619TR1 | 0 | 1 | 19h | ||||||||
| Component Stockers USA | IRF6619TR1 | 6.302 | >1wk | |||||||||
| Win Source | WS-IRF6619TR1 | 6.000 | 23 | 20h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF6619TR1 | 19.217 | 7 | Tape & Reel | 18h |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SímboloPegada |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-02-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2012-08-25
LTD Date2013-02-25
Peças relacionadas
InfineonIRF6716MTRPBF
MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET / Trans MOSFET N-CH Si 25V 39A 7-Pin Direct-FET MX T/R
STMicroelectronicsSTB300NH02L
N-channel 24 V, 1.8 mOhm, 120 A, D2PAK STripFET(TM) Power MOSFET
Descrições
Descrições de Infineon IRF6619TR1 fornecidas pelos seus distribuidores.
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
MOSFET, N, DIRECTFET, MX; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:24A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):1.65mohm; Threshold Voltage Vgs Typ:2.45V; Power Dissipation Pd:2.8W; Transistor Case Style:MX; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacitance Ciss Typ:5040pF; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-40°C; Package / Case:MX; Power Dissipation Pd:2.8W; Power Dissipation Pd:2.8W; Pulse Current Idm:240A; Reverse Recovery Time trr Typ:29ns; SMD Marking:6619; Termination Type:SMD; Voltage Vds:20V; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins7
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 A
Current Rating30 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance2.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Dual Supply Voltage20 V
Fall Time9.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.04 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation89 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-40 °C
Nominal Vgs2.45 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation2.8 W
Rds On Max2.2 mΩ
Reverse Recovery Time29 ns
Rise Time71 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage2.45 V
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time21 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Dimensions
Height700 µm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade