Infineon IRF540ZPBF
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Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
36 A
36 A
Threshold Voltage
4 V
2 V
Rds On Max
26.5 mΩ
26.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
92 W
92 W
Input Capacitance
1.77 nF
1.77 nF
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2002-05-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2009-08-19
LTD Date2010-02-19
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Descrições
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MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 21Milliohms;ID 36A;TO-220AB;PD 92W;gFS 36V
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The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
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Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)36 A
Current Rating36 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance26.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Dual Supply Voltage100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time39 ns
Forward Voltage1.3 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.77 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation91 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance26.5 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation92 W
Rds On Max26.5 mΩ
Recovery Time50 ns
Resistance26.5 Ω
Rise Time51 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time43 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height19.15 mm
Length10.54 mm
Width4.69 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead, Lead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade