Infineon IRF3205STRRPBF
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Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1995-11-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
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MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 8 Milliohms;ID 110A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20V
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55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
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STMicroelectronicsSTB200NF04T4
STB200NF04T4 N-channel MOSFET Transistor, 120 A, 40 V, 3-Pin D2PAK
Descrições
Descrições de Infineon IRF3205STRRPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 8 Milliohms;ID 110A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20V
Single N-Channel 55 V 110 A 8 mOhm HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK / Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
200W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 146nC@ 10 V 1individualNChannel 55V 8m¦¸@ 62A,10V 110A 3.247nF@25V D2PAK SMD mount 6.5mm*6.22mm*2.3mm
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Histórico de estoque
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Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Current Rating110 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time65 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.247 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance8 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation200 W
Rds On Max8 mΩ
Rise Time101 ns
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade