Infineon IRF2804LPBF
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2002-10-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2012-08-25
LTD Date2013-02-25
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Descrições
Descrições de Infineon IRF2804LPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 1.8Milliohms;ID 280A;TO-262;PD 330W;VF 1.3V
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MOSFET, N, 40V, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:280A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):2.3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:330W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Cont Current Id @ 100°C:200A; Cont Current Id @ 25°C:280A; Current Id Max:75A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:330W; Power Dissipation Pd:330W; Pulse Current Idm:1080A; Rth:0.45; Termination Type:SMD; Voltage Vds:40V; Voltage Vds Typ:40V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V; Voltage Vgs th Min:2V
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -9.90%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-262
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Current Rating75 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance2.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time130 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.45 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance2.3 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation330 W
Rds On Max2.3 mΩ
Rise Time120 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time130 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height9.652 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade