Infineon AUIRF2804L
$ 6.58
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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-02-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 weeks ago)
Peças relacionadas
InfineonIRF2804LPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 1.8Milliohms;ID 280A;TO-262;PD 330W;VF 1.3V
InfineonAUIRF1404ZL
Automotive Q101 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 Package, TO262-3, RoHS
Descrições
Descrições de Infineon AUIRF2804L fornecidas pelos seus distribuidores.
Automotive 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I2PAK (TO-262) package, TO262-3, RoHS
Infineon SCT
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 270A I(D), 40V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified
MOSFET, N-CH, 40V, 195A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:195A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):1800µohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:300W; Operating ;RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-262
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)270 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time130 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.45 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance2 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation300 W
Rds On Max2 mΩ
Rise Time120 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time130 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height9.65 mm
Length10.668 mm
Width4.6228 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade