Infineon IRF1010NSTRRPBF
$ 0.896
Obsolete
Preço e estoque
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Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IRF1010NSTRRPBF | 667 | 2h | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF1010NSTRRPBF | 0 | 800 | Bulk | 18h | |||||||
| Verical | IRF1010NSTRRPBF | 667 | 278 | |||||||||
| Win Source | WS-IRF1010NSTRRPBF | 4.130 | 23 | 3h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF1010NSTRRPBF | 3.781 | 7 | Tape & Reel | 2h |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-05-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
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MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 8 Milliohms;ID 110A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20V
STMicroelectronicsSTB60N55F3
N-channel 55 V, 6.5 mOhm typ., 80 A STripFET(TM) III Power MOSFET in D2PAK package
Descrições
Descrições de Infineon IRF1010NSTRRPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 11 Milliohms;ID 85A;D2Pak;PD 180W;VGS +/-20V
Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:55V; Continuous Drain Current, Id:85A; On Resistance, Rds(on):11mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:D2-PAK ;RoHS Compliant: Yes
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Current Rating85 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance11 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time48 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.21 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation170 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance11 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation3.8 W
Rds On Max11 mΩ
Rise Time76 ns
Turn-Off Delay Time39 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Dimensions
Height4.957 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade