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Infineon IPW65R190CFDFKSA1

MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3 N-Channel 650 V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
$ 1.2
Obsolete
Ficha de dados
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Preço e estoque

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Distribuidor
SKU
Mín.
Embalagem
Preço em massa
Rochester Electronics
IPW65R190CFDFKSA1
240
USD
2,000
1,790
1,690
7h
Arrow Electronics
IPW65R190CFDFKSA1
148
1
USD
0,611
0,611
0,611
0,611
0,611
Avnet
IPW65R190CFDFKSA1
0
240
10h
Worldway Electronics
IPW65R190CFDFKSA1
5.777
7
Tube
USD
1,800
1,766
1,698
1,664
1d
Microchip USA
IPW65R190CFDFKSA1
299
100
Tube
5d

Fichas técnicas e documentos

Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Infineon IPW65R190CFDFKSA1.

IHS

Datasheet20 páginas14 anos atrás

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Peças alternativas

Esta peça
Peças alternativas
InfineonIPW65R190CFDFKSA1
InfineonIPW65R190CFDAFKSA1
Price @ 1000
$ 1.2
$ 1.94
Stock
26,081
35,610
Authorized Distributors
3
1
Mount
-
Through Hole
Case/Package
TO-247
TO-247
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
650 V
Continuous Drain Current (ID)
17.5 A
17.5 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
190 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
-
30 V
Power Dissipation
151 W
151 W
Input Capacitance
-
1.85 nF

Cadeia de suprimentos

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-05-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2023-02-17
LTD Date2023-02-17

Descrições

Descrições de Infineon IPW65R190CFDFKSA1 fornecidas pelos seus distribuidores.

MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3 N-Channel 650 V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Eurochip Technologies LTD
Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-247
IHS
Infineon NChannel EnhancedMOSTube CoolMOS CFDseries, Vds=650 V, 17.5 A, TO-247encapsulation, Through hole mounting, 3Pin
UnikeyIC
MOSFET, N CH, 700V, 17.5A, TO-247-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 17.5A; Drain Source Voltage Vds: 700V; On Resistance Rds(on): 0.445ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V
Farnell
Replacement for 650V CoolMOS™ CFD2 is 600V CoolMOS™ CFD7650V CoolMOS™ CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS™ MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and therefore better EMI behavior gives this product a clear advantage in comparison with competitor parts.
Infineon

Imagens

element14 APAC
Farnell
TME
RS
Rochester Electronics

Nomes alternativos do fabricante

Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

  • SP000905376